三星發布全面的 3D AI 記憶體路線圖，涵蓋 zHBM、zNAND-O 和 V10 BV-NAND。

三星電子 在加州聖克拉拉舉行的 2026 年未來記憶體和儲存 (FMS) 大會上，該公司發布了其下一代 AI 記憶體產品組合，並提出了一個全面的技術路線圖，旨在滿足高效能運算和人工智慧基礎設施快速增長的需求。 

該公司在一個以人工智慧雲端伺服器為靈感的展位上展示了約 30 種內存和存儲技術，同時，執行副總裁兼閃存產品與技術負責人李鎮燁和 DRAM 設計團隊副總裁金京倫發表了題為“引領人工智能革命浪潮：內存和存儲架構中的 3D 創新”的開幕主題演講。

垂直建築再defi新型記憶體處理器集成

三星願景的核心是兩款概念模型，它們從根本上重建了記憶體與處理器之間的介面方式。該公司推出了zHBM，它將高頻寬記憶體垂直堆疊在AI加速器上方，而不是像傳統方式那樣將其放置在晶片旁。三星表示，這種設計最大限度地縮短了資料傳輸距離，效能約為HBM5的八倍，記憶體密度超過十倍，能源效率提升三倍，同時熱阻降低了一半以上。 

該架構還支援層間自訂知識產權集成，從而能夠為特定加速器提供客製化解決方案。除了 zHBM 之外，三星還預覽了 zNAND-O，這是一個基於 V-NAND 的解決方案，提供四層和八層兩種版本，兼具高空間效率和低延遲，適用於即時邊緣 AI 工作負載。

從400層NAND到整合式交鑰匙生產

三星也發表了V10 BV-NAND，這是業界首款採用全新晶圓鍵合技術的鍵結式V-NAND架構。此元件擁有超過400層，相較於上一代V9，儲存密度提升約58%，同時讀寫和I/O效能也顯著提升。這項里程碑式的進展距離三星推出業界首款V-NAND產品已過了13年。

除了概念硬體之外，三星還詳細介紹了其近期量產路線圖。繼2月業界首次實現HBM4量產後，該公司於5月開始交付HBM4E樣品，並在2026年FMS展會上展示了其HBM5型號。三星也展示了LPDDR5X-PIM，這是業界首款採用內存內處理（Processing-in-Mrim）技術的低功耗DDR內存，該技術可在內存陣列內部執行計算，從而減少數據傳輸和功耗。 

對於資料中心基礎架構而言，PM1763 和 BM1773 企業級儲存解決方案是 featured作為唯一一家在記憶體、晶圓代工和先進封裝方面擁有領先能力的整合裝置製造商，三星重點介紹了其端到端交鑰匙策略，提供整合設計和製造服務，旨在縮短開發週期並優化人工智慧半導體客戶的效能。