Fundstrat研究主管Tom Lee近日在X平台发文表示，人工智能领域的资金正从芯片制造商转向以太坊。他暗示投资者正从AI硬件公司转向数字基础设施，这可能会使以太坊从机构投资中受益。
Lee一直看好以太坊，此前他曾表示，随着AI解决方案对去中心化结算、代币化和链上基础设施的需求增长，以太坊网络将受益。
Lee指出，以太坊与追踪内存芯片制造商的基金之间表现差距不断扩大，这是“AI下游”交易升温的迹象。“AI下游交易持续走强。过去一个月，以太坊跑赢Roundhill内存ETF（DRAM）7200个基点。”
据Lee计算，以太坊上月上涨24%，而Roundhill内存ETF（代码：DRAM）下跌38%，ETH跑赢后者72个百分点（7200个基点）。Fundstrat提供的图表显示两者走势分化，但未提供资金流数据证实资金正从半导体股流向以太坊。因此，“轮动”理论更多基于市场表现而非实际资本流动。
DRAM ETF于2026年4月推出，是首只完全聚焦内存芯片制造商的ETF，涵盖高带宽内存（HBM）芯片、DRAM芯片和NAND闪存芯片制造商。这些芯片在大型AI模型的训练和运行中至关重要，使该ETF成为AI基础设施投资的重要指标。
内存芯片是AI热潮的最大受益者之一。IDC数据显示，全球AI支出预计到2029年将达到7580亿美元；其企业基础设施追踪显示，2025年第二季度专为支持AI应用设计的存储系统增长20.5%，企业正在扩大AI能力。行业前景依然乐观，TrendForce 7月报告预计2026年第三季度常规DRAM合约价上涨13%-18%，NAND闪存价格因AI服务器需求增长10%-15%。这使得DRAM ETF近期的下跌更为显著。这种下跌似乎源于投资者获利了结或调整半导体股持仓，而非内存芯片市场低迷。Lee的帖子未澄清该问题，以太坊是否受益于AI硬件资金的撤出，或仅在芯片股盘整时获利，尚不清楚。
对加密投资者而言，Lee的观点提供了看待以太坊的新视角：不仅视其为去中心化金融的基石，而是作为可能受益于AI投资下一阶段的基础设施。这一概念仍有待检验。仅凭一个月的优异表现不足以得出结论。这一趋势是否预示着更大的机构转变，将取决于以太坊投资产品的未来表现以及半导体股复苏期间ETH的持续资金流入。无论如何，Lee的“AI下游”概念是一个有趣的市场事件，但需要更多证据才能判定为持久转变。
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