目标2027年成全球最大SLC NAND供应商 华邦电:市场低估CMX需求

华邦电宣示2027年成为全球最大SLC NAND供应商,法说会透露DRAM供需紧张延续至2027年,并称市场低估CXL内存模组(CMX)带动的SLC NAND需求,高雄厂扩产与Flash业务成长成为关键动能。

内存大厂华邦电(2344)近日举行法说会,总经理陈沛铭表示 DRAM 供需紧张格局将延续至 2027 年,且明年恐怕更吃紧,同时宣布目标在 2027 年前成为全球最大 SLC NAND 芯片供应商。分析师对此指出,铠侠(Kioxia)XL-Flash 对 SLC NAND 的底层消耗,以及 CXL 内存扩充模组(CMX)带动的新兴需求,目前仍被市场低估,有望为华邦电的中长期展望提供上行空间。

陈沛铭指出,AI 服务器采购规模的持续扩张,以及三星、SK 海力士、美光等主要内存大厂将产能大举转向 HBM、DDR5、LPDDR5 等高端产品,已使成熟制程 DRAM 供给快速萎缩。同时,DDR3 等传统规格的供应商陆续退出市场,使供需缺口进一步拉大。

他预估,2027 年的供给紧俏程度将比 2026 年更为严峻,部分客户已开始就 2029 至 2030 年的备货需求提前洽谈长期供应协议(LTA),显示下游对未来供应吃紧的预期正在拉长。他同时看好本季 DRAM 价格将持续上扬、Flash 产品同步涨价,对下半年营收抱持乐观。

高雄厂月产能年底上看 2.4 万片,DRAM bit 产出有望翻倍

为把握供需缺口带来的涨价与抢市契机,华邦电董事会已核准 130.74 亿元的资本支出预算,自 8 月起陆续投入生产设备、研发设备、厂务工程及资本化租赁资产等项目,以因应未来营运需求与产能布局。在具体扩产计划上,高雄厂将是华邦电未来数年的主要成长引擎。

陈沛铭表示,高雄厂目前月产能约为 1.5 万片,计划于今年底前提升至 2.4 万片,并同步加速导入 16nm 制程。尽管晶圆投片量将增加约六成,但 16nm 制程带来的 bit 密度提升,使 DRAM bit 产出有机会在 2027 年接近翻倍。后续则将启动 B 栋新厂专案,为 2030 年以后的需求预做准备。

Flash 营收单季飙升 65%,SLC NAND 瞄准全球最大供应商地位

Flash 业务作为华邦电另一个重要的成长动能,Q2 Flash 营收较 Q1 大幅成长 65%,其中 SLC NAND 已占 Flash 营收近四成。在制程转型上,华邦电的 Flash 产品线目前正从 46nm、32nm 加速转进 24nm 世代,不仅优化成本结构,也有助于提升供应能力,目标在 2027 年前拿下全球最大 SLC NAND 供应商的地位。24nm 产品则预计于下半年起开始显著贡献营收。

SLC NAND 以每个内存单元仅储存 1 bit 的架构,具备速度最快、耐久度最高的特性,广泛应用于车用电子、工业控制、机器人、无人机及低轨道(LEO)卫星等高可靠性场景,而这些正是当前需求最为热络的新兴终端市场。

在 NOR Flash 方面,陈沛铭强调,新一代 AI 服务器机架对 NOR Flash 的用量正显著攀升,估计每个 AI 机架需要搭载 500 至 600 颗 NOR Flash,涵盖 512Mb、1Gb、2Gb 等不同容量规格,华邦电有机会取得 40% 至 50% 的供应份额。

Citrini 分析师 Zephyr 对此指出,铠侠(Kioxia)的 XL-Flash 存储级内存在底层架构上同时采用 SLC 与 MLC NAND,而 XL-Flash 即将被整合进以 CXL 接口封装的内存扩充模组 CMX。CXL 是目前 AI 服务器快速普及的开放式互连标准,允许 CPU 透过 PCIe 总线直接挂载额外内存池,以突破传统 DIMM 插槽对容量的物理限制,特别适合 LLM 推理工作负载中 KV 缓存庞大的内存需求。

换句话说,市场目前仅将车用等既有场景纳入 SLC 需求预估,但透过 XL-Flash → CMX → CXL AI 服务器这条路径衍生的 SLC NAND 消耗,仍未反映在市场价格中。

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