美光斥资93亿美元日本建厂,押注AI内存需求暴涨

美光科技在日本广岛动工新建93亿美元芯片工厂,专注生产AI所需高带宽内存(HBM),预计2028年投产。日本政府提供约31亿美元补贴,助力本土半导体供应链。此举标志着美光与三星、SK海力士在HBM市场的竞争白热化。

美光科技(Micron Technology)在日本西部破土动工,新建一座价值93亿美元的存储芯片工厂。该工厂将专注于生产高带宽内存(HBM),这是训练和运行AI模型的关键部件。HBM芯片的生产预计要到2028年夏季前后才能开始。

新工厂位于广岛,将为NVIDIA客户的AI加速器制造HBM芯片。日本经济产业省(METI)将提供高达5000亿日元(约31亿美元)的补贴,作为日本政府推动国内半导体制造、强化AI供应链的更广泛计划的一部分。

美光加入HBM竞赛

AI计算的主要挑战之一是所需的内存量。随着大语言模型和AI图像生成器的涌现,GPU与内存之间高速传输的数据量巨大。HBM通过垂直堆叠DRAM晶粒,显著增加带宽并提高能效。

报告显示,AI需求激增导致HBM需求远超当前产能。三大HBM制造商——美光、SK海力士和三星——正积极扩产并加速下一代产品路线图。美光2026财年第三季度财报显示,其收入达414.6亿美元,同比增长346%。云存储和核心数据中心业务的运营利润率分别为78%和83%。CEO Sanjay Mehrotra表示,这证明了“内存在AI时代的战略价值”。

Counterpoint Research数据显示,截至2025年底,SK海力士占据约57%的全球HBM市场份额,三星和美光分别占22%和21%。在激烈竞争中,三星已向关键客户发送下一代HBM4E芯片样品,并公布了HBM5路线图。SK海力士也出货了12层节能型HBM4E内存,能耗比上一代降低20%以上。

美光加码AI

产能扩张也在加速。SK集团会长崔泰源表示,SK海力士计划将年晶圆产量翻倍以满足AI内存需求。此外,韩国近期宣布与三星、SK海力士合作,投资约800万亿韩元(5180亿美元)建设四座新半导体工厂,扩大HBM封装能力,最终将韩国DRAM产量翻倍。

美光在广岛的扩张不仅是产能提升,更是保持竞争力的战略决策。就在动工前两天,美光与Anthropic签署战略协议,包括设计内存架构、多年供应合同以及对Anthropic H轮融资的大额投资。Anthropic联合创始人Tom Brown表示,内存和存储对“高效训练和服务Claude至关重要”。

日本锁定国内AI供应链

对日本而言,该工厂解决了战略短板。尽管日本仍是重要半导体制造中心,但在最先进的AI内存芯片方面国内产能有限。美光广岛工厂将为日本提供现代AI基础设施中关键组件的本地制造能力。日本经济产业省的补贴突显了全球各国吸引先进半导体制造的竞争。日本还支持了Rapidus和台积电的项目,致力于建立涵盖逻辑芯片、封装和高性能内存的完整半导体生态系统。

美光也在全球扩展制造足迹,在美国、新加坡、台湾和日本运营,以分散生产并更好地服务全球AI客户。

(本快讯由 BlockWeeks 编译整理自公开信息)

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