三星AI芯片工厂提前至2029年，SK海力士纳斯达克上市首日大涨15%

三星电子正在加快下一代芯片生产的部署，将其位于龙仁的大型半导体工厂投产时间提前至2029年，比原计划提早一至两年。此举顺应了韩国政府推动战略半导体项目审批加速的号召。

这家科技巨头原本预期规划中的六座工厂中的第一座将在2030-2031年间投产。为达成2029年的新目标，三星必须在今年年底前启动土地平整，以便从2027年开始为期两年的工厂建设。

与此同时，竞争对手SK海力士完成了史上规模最大的外国公司股票上市，其美国存托凭证上周五在纳斯达克首日大涨15%。不过，随着大量获利回吐，股价随后回落。

三星计划在2040年前完成龙仁集群的建设。其紧迫性与其在AI领域的雄心密切相关。在上月与政府的合作框架下，三星为平泽和龙仁预留了约1.4万亿美元（约合1.4万亿韩元），另为湖南地区规划了2669亿美元的投资。三星已将整个龙仁集群的建设时间压缩，计划从2047年提前至2040年完工，首座工厂于2029年投产。

市场专家指出，提前投产不仅能增加产量，还会自然为后续项目扫清道路。一位行业官员表示：“第一座工厂提前运营将使三星能够更快响应全球对AI芯片日益增长的需求。”政府将通过加速土地征收和承包商指派审批来支持三星的扩张，同时推进公共设施建设，包括提前建设一座3吉瓦的液化天然气发电厂，并缩短水和电力的接入周期。一位行业分析师称：“如果政府的基础设施支持措施按计划实施，2029年投产的可能性非常高。电力和水是公司无法自行解决的问题，公私密切合作将决定成败。”

另一方面，SK海力士在纳斯达克上市后，周一在首尔股市下跌8.4%，拖累韩国Kospi指数。Kyobo Life Insurance的Jason Minsang Kam认为，由于美国市场的动能已反映在价格中，投资者应预期盘中获利了结和套利平仓带来的压力。尽管如此，此次上市使SK海力士进入全球投资者视野，该公司为英伟达AI芯片供应高带宽内存。CEO Kwak Noh-jung预计客户需求将持续超过公司产能直至2030年以后。

SK海力士同样在韩国各地投资建设更多半导体工厂，计划投入约7340亿美元用于扩张。其中约4003亿美元用于龙仁的四座新工厂，并将整体完工时间提前12年至2033年。此外，公司还计划投资约667亿美元扩充清州园区的NAND闪存产能，并投资约400万亿韩元（约合2669亿美元）在韩国西南部建设新的半导体集群。