曾于今年7月率先警示内存族群面临短期回调风险、一度被韩国市场称为“空头代言人”的摩根士丹利半导体首席分析师Shawn Kim,在最新研究报告中正式转为看多。他指出,经历7月激烈的筹码洗牌与修正后,内存市场最猛烈的调整阶段已接近尾声,当前估值已具备极强吸引力,提供优质的“战术性进场”时机。
摩根士丹利将近期内存族群的回调定性为“AI超级周期里的一次小波澜”,并非产业景气反转。7月韩国股市与内存供应链的下跌,主因来自海外高杠杆AI对冲基金爆仓、散户保证金贷款去杠杆,以及内存价格同比增速见顶引发的获利了结。随着Agentic AI与影音推理需求兴起,内存已成为关键算力瓶颈,本轮DRAM合约价格同比最大涨幅高达700%,显示长期需求结构依然稳健。
经历前期价格调整后,内存族群评价面已具备极高安全边际。目前产业平均交易于约3倍未来12个月预估市盈率(NTM P/E),市场定价几乎未反映任何长期成长溢价。分析团队盈利预估净下修率的变化率已自高点显著回落,市场对基本面最悲观的数据修正阶段已过。随着7月筹码平仓潮告一段落,资金正重新回流至直接受惠AI资本支出的DRAM与利基型内存。
报告预测内存产业将于2026年第四季度迈入周期后段,推升股价的核心催化剂将发生转变。动能将从前期单纯由价格上涨带来的经营杠杆,转向企业的资本回馈(如股票回购)、长期供货协议(LTA)带来的盈利稳定性,以及自由现金流(FCF)表现。最新调研显示,3Q26 DRAM合约价季增约15%、NAND合约价季增约20%;供给端正加速将产能转向企业级固态硬盘(eSSD),可有效消化消费端需求放缓的影响。
针对韩国内存双雄,摩根士丹利给予分化的财务预估,但均维持看涨评级。SK海力士因高带宽内存(HBM)领导地位稳固及二季度资产处置收益,2026年每股收益(EPS)预估获上调13%;三星电子则因智能手机与消费电子需求疲软,2026年EPS预估下修10%。尽管财务数据有所调整,报告认为两家公司相较当前股价的潜在涨幅均超过60%。
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