美光科技（Micron Technology）于7月4日在日本广岛举行了其半导体工厂扩建的破土动工仪式。该项目总投资约1.5万亿日元（按当前汇率约合93亿至96亿美元），是近年来规模最大的单一站点内存芯片投资之一。工厂将专注于生产高带宽内存（HBM），这种专用芯片是驱动AI数据中心的关键组件，而微软、Meta等科技巨头正在竞相建设此类设施。
HBM已成为半导体领域最炙手可热的商品之一。目前，该市场由SK海力士主导（其为英伟达最先进的AI加速器供货），三星紧随其后。美光一直作为第三梯队的追赶者，此次广岛扩建是其意图跻身顶级阵营的最明确宣言。值得一提的是，美光首片HBM晶圆正是在该广岛工厂生产，因此扩产并非从零开始。
美光并非独自承担这一巨额投资。日本政府对项目的补贴可能超过5000亿日元（约合30亿美元）。日本经济产业省正积极争取半导体制造商，作为重建国内芯片供应链国家战略的一部分。美光与日本渊源颇深——2013年，它从破产中收购了日本最后一家主要DRAM制造商尔必达（Elpida Memory），从而获得了广岛工厂和大量日本工程师资源。
此外，台积电正在熊本建设晶圆厂，而日本本土初创公司Rapidus（获得政府资助）尝试在北海道生产尖端逻辑芯片。美光的扩产契合了日本重新定位为全球芯片供应网络关键节点的整体布局。
美光此次近100亿美元的投资要到2028年才能产出芯片。竞争格局值得关注：SK海力士在HBM生产上具有显著先发优势，并与英伟达关系紧密；三星也在大力投资追赶。日本政府补贴大幅降低了美光的财务风险——当政府承担约三分之一资本支出时，盈亏平衡点的计算会宽松许多。
投资者应关注美光未来财报中的HBM市场份额数据。如果该公司能在广岛工厂投产前就展示出与SK海力士相匹敌的性能，那么2028年的产能爬坡可能成为美光股票乃至整个内存市场的关键转折点。
（本快讯由 BlockWeeks 编译整理自公开信息）
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