美国商务部长施压三星和SK海力士：将内存芯片生产迁至美国，否则面临100%关税

美国政府已正式对依赖海外内存芯片生产失去耐心。商务部长霍华德·卢特尼克正向全球内存芯片制造两大巨头三星电子和SK海力士施压，要求它们在美国本土建设产能。2026年1月，卢特尼克明确表示，内存生产商面临二选一：在美国建厂，或者对销往美国市场的芯片承担100%的关税。

内存芯片并非半导体行业中最引人注目的部分，聚光灯通常落在台积电和英特尔制造的先进逻辑芯片上。但DRAM、HBM和NAND闪存是全球每台服务器、智能手机和汽车的基石，而美国目前基本不生产这些芯片。2025年，DRAM价格飙升超过60%，几乎完全由数据中心竞相建设AI基础设施所驱动。到2026年底，数据中心预计将消耗全球约70%的内存芯片产量，留给汽车制造商、消费电子公司和工业买家的份额所剩无几。

2026年6月3日，九家美国行业协会联合致信，直接拉响警报。他们的核心担忧是：三星和SK海力士理性地追逐AI领域更高的利润率，正在结构性限制对其他领域的供应。政治压力来自多个方向。参议员伯尼·莫雷诺于2026年4月14日致信警告，如果美国国内工厂不建设并投产，某些应用的内存芯片价格可能暴涨高达100%。他特别关注汽车领域，相对低成本的内存芯片短缺可能使价值数十亿美元的生产线停摆。

国际半导体产业协会（SEMI）在2026年7月1日的信中反对强硬干预，转而鼓励政策制定者使用《芯片法案》的支持机制，如长期供应协议和制造激励，而不是可能进一步扭曲市场的关税。三星已经在德克萨斯州泰勒市建设一座半导体工厂，但重点在于逻辑芯片而非内存。SK海力士则宣布计划在印第安纳州建设封装和制造基地，主要专注于AI应用的高带宽内存。这两项承诺都没有完全解决卢特尼克所指出的国内内存供应缺口。

对于半导体设备公司和材料供应商而言，推动美国建厂是方向性的利好。更多的国内制造意味着对芯片生产所需工具和化学品的需求增加，无论最终运营工厂的是哪家外国公司。SEMI倾向于用《芯片法案》激励而非关税，反映了美国半导体政策中的真实紧张关系。关注这一领域的投资者应留意政府是否将关税威胁与具体的补贴承诺相结合，因为顺序对于未来18至24个月内存价格的走势至关重要。